自旋阀结构多层膜具有频率特性好、工作磁场小、灵敏度高和信噪比高等优点而率先进入实用化阶段，得到了广泛的研究。目前，用作自旋阀钉扎层的材料有很多种，如FeMnNiMn，CiMn，NiO等11111.其中FdMn仍旧是研究得很多的一种材料，这主要是由于其钉扎场较大，靶材料容易制备。个自旋阀的钉扎场约在2.5X102T以上，目前这种材料的钉扎场已能达到4X1（f 2t左右。自旋阀的应用不仅与其磁场灵敏度有关，而且还与其热稳定性有关11220.在自旋阀制作成计算机硬盘读头过程中要经历大约250°C左右数小时的热处理，在这一温度下，自旋阀各层之间要发生互扩散，从而会引起其磁性的变化；而且对于FeMn钉扎的自旋阀，FeMn反铁磁性的截止温度大约在150C在250C时FeMn将失掉反铁磁钉扎作用，从而使自旋阀性能恶化，甚至giantmagnetoresistance（GMR）现象消失。因此，研究自旋阀的热稳定性问题显得十分重要。

　　在本文中，我们主要研究了真空退火对Si/a/NiFe/CuNiFe/eMn/a结构自旋阀的性质及层间扩散的作用。利用高分辨电子显微镜（HREM）观察了各层晶体生长状况，研究了真空退火后样品的磁性与温度之间的关系。为了研究NiFeFeMn之间的热扩散，在相同的条件下制备了基片/aNiFe/eMn/a结构的多层膜。在经相同条件的退火后，利用俄歇电子能谱仪（AES）研究了NiFe/eMn层之间的互扩散，并利用Fisher模型分析了NiFe/eMn层之间的互扩散。

　　2.为自旋阀多层膜经过不同温度退火处理后，其磁电阻MR随退火温度T的变化。在中，曲线总的趋势表现出随退火温度的升高磁电阻MR减小的趋势，但是在低于150°C时，MR值并不是单调递减的，而是在100°C时达到一个极小值，150°C时MR值反到变大。这主要是由于样品在热处理时要发生两个过程，即内应力的消除和层间原子的互扩散。在镀膜时由于基片温度较低，成膜速率又较快，因而在膜内存在较大的内应力和较多的缺陷，这些应力及缺陷的存在对磁电阻MR值有影响，退火能有效的减小内应九消除缺陷，从而提高磁电阻MR值NakamoriTand TS诳盍藤